|
Рис. 27.1. |
Один из них заключается в
том, что на пластинку германия или кремния 1 кладут небольшую таблетку
индия 2 (рис. 27.1); кристалл помещают в электрическую печь, из
которой выкачан воздух (вакуумная печь). При плавлении таблетки индия
она растекается по пластинке и атомы индия диффундируют в основное
вещество (германий или кремний). В результате образуется область 3 с
дырочной проводимостью. Напомним, что основной кристалл обладает
электронной проводимостью. Между областями с электронной n- и дырочной
p-проводимостями образуется так называемый p-n-переход 4. Этот сложный
и тонкий процесс производится в вакууме для того, чтобы не произошло
окисления индия и полупроводниковой пластинки. |
