| |
Электронно-дырочный
переход (сокращенно n—p-переход) является основным элементом
большинства полупроводниковых приборов. Он образуется в
полупроводниковом кристалле, в котором имеется контакт между областью с
электронной проводимостью и областью с дырочной проводимостью.
Электронно-дырочный переход и образуется на границе этих областей.
Существует несколько способов изготовления полупроводниковых
кристаллов с электронно-дырочным переходом.
Рассмотрим явления, происходящие в кристалле с
p—n-переходом (рис. 27.2,а,б).
Рис. 27.2.
|
В отсутствие электрического поля свободные
электроны и дырки хаотично
движутся по кристаллу. В результате такого движения свободные электроны
могут сами по себе перейти через p—n-переход в дырочную область, а
дырки — в электронную. Посмотрим, что при этом произойдет.
Электроны, переходя из области n в область p, уносят с собой свой
отрицательный заряд из области п. Следовательно, в кристалле область n
после ухода электронов зарядится положительно, а область p — наоборот,
зарядится отрицательно, так как электроны принесут ей свой
отрицательный заряд.
Не остаются в долгу и дырки. Диффундируя в электронную область, они
несут ей свой положительный заряд, а в дырочной области в результате их
ухода возрастает отрицательный заряд.
Таким образом, в результате диффузии электронов в дырочную
область и дырок в электронную пограничная область кристалла
электризуется.
|
На границе между областями возникает электрическое поле,
получившее название поля электронно-дырочного перехода, которое
начинает противодействовать дальнейшей диффузии зарядов, т. е. дырок и
свободных электронов. Такое поле часто называют запирающим полем.
Опыты свидетельствуют о том, что полупроводниковый
кристалл с
р—n-переходом обладает односторонней
проводимостью.
|
