i-Школа
 

Урок 26. Полупроводники

Преподаватель: Клятченко Виктор Фомич

Электроны проводимости и дырки
Собственная и примесная проводимость
 

Собственная и примесная проводимость

 

Описанная в предыдущем параграфе проводимость чистых полупроводников, возникающая при их нагревании или освещении, называется собственной проводимостью. Она используется в терморезисторах и фоторезисторах, о чем говорилось в предыдущем параграфе.

Однако возможен еще один тип проводимости в полупроводниках. Ее можно обеспечить примесями, внедряемыми в полупроводник. Проводимость полупроводников, вызванная электронами примесных атомов, называется примесной проводимостью. Причем надо сказать, что различают электронную примесную проводимость и дырочную примесную проводимость, особенности которых мы разберем.

n-тип

Рис. 26.8

p-тип

Рис. 26.9

Электронная примесная проводимость возникнет, если заменить некоторые атомы германия или кремния атомами другого вещества, но с пятью валентными электронами, например мышьяка Аs или сурьмы Sb (рис. 26.8). Тогда четыре электрона сурьмы пойдут на ковалентные связи с соседними атомами, а пятый электрон окажется слабо связанным с атомом и легко может стать свободным. В одном кубическом сантиметре вещества содержится около 1022 атомов. Замена одного атома германия из миллиона на атом сурьмы (или мышьяка) приведет к тому, что в каждом кубическом сантиметре полупроводника появится около 1016 свободных электронов, что и создаст возможность полупроводнику проводить электрический ток.

Итак, за счет внедрения в германий или кремний атомов пятивалентного вещества мы получает полупроводники с примесной электронной проводимостью. Их называют полупроводниками n-типа (от латинского слова negativus — отрицательный).

Дырочная примесная проводимость возникает, если в полупроводниковом кристалле заменить некоторые атомы другими атомами, содержащими три валентных электрона, например атомы индия In. В этом случае на образование ковалентной связи с соседними атомами у примесного атома не хватает одного электрона (рис. 26.9). По этой причине в том месте, куда внедрился атом примеси, образуется дырка, т. е. одного электрона недостает. При замене одного из миллиона атомов основного вещества на атом трехвалентной примеси в каждом кубическом сантиметре полупроводника образуется примерно 1016 дырок. Такой полупроводниковый кристалл обеспечит электрический ток благодаря дрейфу дырок, которые переносят положительный электрический заряд.

Таким образом, за счет внедрения в германий или кремний атомов трехвалентного вещества мы получаем полупроводники с примесной дырочной проводимостью. Их называют полупроводниками p-типа (от латинского слова positivus — положительный).

Говоря о принципе получения полупроводниковых кристаллов с электронной и дырочной проводимостью, нужно заметить, что технически это сложная проблема, и в том, что ее удалось решить, огромная заслуга ученых-химиков, научившихся получать очень чистые кристаллы германия и кремния и вводить в них дозированные примеси.


Контрольные вопросы



  написать преподавателю   личная страница   на главную
Дальше...  
i-Школа
Дизайн - Ренжин М.Г.