| |
Описанная в предыдущем параграфе проводимость чистых
полупроводников,
возникающая при их нагревании или освещении, называется собственной
проводимостью. Она используется в терморезисторах и фоторезисторах, о
чем говорилось в предыдущем параграфе.
Однако возможен еще один тип проводимости в
полупроводниках. Ее можно
обеспечить примесями, внедряемыми в полупроводник. Проводимость
полупроводников, вызванная электронами примесных атомов, называется
примесной проводимостью. Причем надо сказать, что различают электронную
примесную проводимость и дырочную примесную проводимость, особенности
которых мы разберем.
|

Рис. 26.8

Рис. 26.9
|
Электронная примесная проводимость возникнет, если
заменить
некоторые атомы германия или кремния атомами другого вещества, но с
пятью валентными электронами, например мышьяка Аs или сурьмы Sb (рис.
26.8). Тогда четыре электрона сурьмы пойдут на ковалентные связи с
соседними атомами, а пятый электрон окажется слабо связанным с атомом и
легко может стать свободным. В одном кубическом сантиметре вещества
содержится около 1022 атомов. Замена одного атома германия
из миллиона
на атом сурьмы (или мышьяка) приведет к тому, что в каждом кубическом
сантиметре полупроводника появится около 1016 свободных
электронов, что
и создаст возможность полупроводнику проводить электрический ток.
Итак, за счет внедрения в германий или кремний
атомов пятивалентного
вещества мы получает полупроводники с примесной электронной
проводимостью. Их называют полупроводниками
n-типа (от латинского слова negativus
—
отрицательный).
Дырочная примесная проводимость возникает, если в
полупроводниковом кристалле заменить некоторые атомы другими атомами,
содержащими три валентных электрона, например атомы индия In. В этом
случае на образование ковалентной связи с соседними атомами у
примесного атома не хватает одного электрона (рис. 26.9). По этой
причине в том месте, куда внедрился атом примеси, образуется дырка, т.
е. одного электрона недостает. При замене одного из миллиона атомов
основного вещества на атом трехвалентной примеси в каждом кубическом
сантиметре полупроводника образуется примерно 1016 дырок.
Такой
полупроводниковый кристалл обеспечит электрический ток благодаря дрейфу
дырок, которые переносят положительный электрический заряд.
|
Таким образом, за счет внедрения в германий или кремний
атомов
трехвалентного вещества мы получаем полупроводники с примесной дырочной
проводимостью. Их называют полупроводниками
p-типа (от латинского слова positivus
—
положительный).
Говоря о принципе получения полупроводниковых кристаллов
с
электронной и дырочной проводимостью, нужно заметить, что технически
это сложная проблема, и в том, что ее удалось решить, огромная заслуга
ученых-химиков, научившихся получать очень
чистые кристаллы германия и
кремния и вводить в них дозированные примеси.
|